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型号 IPD110N12N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
IPD110N12N3 G PDF
代理商 IPD110N12N3 G
产品目录绘图 Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4310pF @ 60V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD110N12N3 GDKR
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